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IXFA22N65X2

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 22A TO263

IXFA22N65X2 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFA22N65X2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.98000 $3.98
50 $3.19500 $159.75
100 $2.91100 $291.1
500 $2.35720 $1178.6
1,000 $1.98800 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2310 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263HV
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDBL0200N100
FDBL0200N100
$0 $/Stück
EPC2214
EPC2214
$0 $/Stück
DMN6140L-13
DMP3007LK3-13
SI3459BDV-T1-E3
2N7002KW
2N7002KW
$0 $/Stück
NVHL060N090SC1
NVHL060N090SC1
$0 $/Stück

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