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PMZ600UNEYL

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MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3

PMZ600UNEYL Technisches Datenblatt

compliant

PMZ600UNEYL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10,000 $0.07568 -
30,000 $0.07095 -
50,000 $0.06291 -
100,000 $0.06149 -
5464 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 600mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.2V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.7 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 21.3 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-883
Paket / Koffer SC-101, SOT-883
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Zugehörige Teilenummer

SIHF540S-GE3
SIHF540S-GE3
$0 $/Stück
RM60N100DF
RM60N100DF
$0 $/Stück
SI8483DB-T2-E1
RSR025N05HZGTL
DI070P04PQ
STP14NK50Z
STP14NK50Z
$0 $/Stück
IRFB9N60APBF-BE3

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