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SI8483DB-T2-E1

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT

nicht konform

SI8483DB-T2-E1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.21985 -
6,000 $0.20645 -
15,000 $0.19305 -
30,000 $0.18367 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 800mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1840 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paket / Koffer 6-UFBGA
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