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PSMN3R3-40YS,115

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MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

nicht konform

PSMN3R3-40YS,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.46200 -
3,000 $0.43120 -
7,500 $0.40964 -
10,500 $0.39424 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2754 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 117W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer SC-100, SOT-669
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Zugehörige Teilenummer

FDMS86520
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IRFB9N60APBF
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$0 $/Stück
SIR178DP-T1-RE3
IRL640STRRPBF
PMV250EPEAR
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RM10N100S8
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FQP11N40C
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