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PSMN4R8-100PSEQ

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MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

nicht konform

PSMN4R8-100PSEQ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.18000 $4.18
50 $3.35660 $167.83
100 $3.05820 $305.82
500 $2.47642 $1238.21
1,000 $2.08855 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 278 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14400 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 405W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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