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PSMN7R6-100BSEJ

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MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

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PSMN7R6-100BSEJ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.39040 $1112.32
1,600 $1.27600 -
2,400 $1.18800 -
5,600 $1.14400 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 128 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7110 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 296W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTMS5P02R2SG
NTMS5P02R2SG
$0 $/Stück
IRFH8334TRPBF
FDPF10N60ZUT
FDPF10N60ZUT
$0 $/Stück
IXTJ4N150
IXTJ4N150
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IXFA34N65X3
IXFA34N65X3
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APT10035LLLG

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