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PSMN8R5-60YS,115

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MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56

nicht konform

PSMN8R5-60YS,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.41547 -
3,000 $0.38777 -
7,500 $0.36838 -
10,500 $0.35453 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 76A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2370 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 106W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer SC-100, SOT-669
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