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SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK

compliant

SIR878BDP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.80360 -
6,000 $0.76587 -
11992 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta), 42.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1850 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SFI9510TU
NTB25P06T4G
NTB25P06T4G
$0 $/Stück
DMT6009LSS-13
PHB29N08T,118
IRF9540NLPBF
HUF76107P3
RM48N100D3
RM48N100D3
$0 $/Stück
BUK7230-55A,118
BUK7230-55A,118
$0 $/Stück

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