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PHB29N08T,118

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NEXPERIA PHB29N08T - 27A, 75V, 0

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PHB29N08T,118 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,800 $0.34036 -
3400 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 27A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 11V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 14A, 11V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 810 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 88W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRF9540NLPBF
HUF76107P3
RM48N100D3
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BUK7230-55A,118
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$0 $/Stück
CSD19533Q5A
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CPH6355-TL-W
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STL36N60M6
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PMN55ENEX
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