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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 75 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 4.2mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.8V @ 1mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 234 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±16V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 15450 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 306W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I2PAK |
Paket / Koffer | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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