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BUK7Y08-40B/C,115

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BUK7Y08-40B/C,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2040 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 105W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer SC-100, SOT-669
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Zugehörige Teilenummer

R8010ANX
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NTB5404NT4G
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FDMS7692A
MTW32N20E
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NDD02N40T4G
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FDV304P_NB8U003
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NTD85N02RG
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