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IRFZ24N,127

IRFZ24N,127

IRFZ24N,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB

IRFZ24N,127 Technisches Datenblatt

compliant

IRFZ24N,127 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 70mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

PMV25ENEA215
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$0 $/Stück
BSS84_D87Z
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$0 $/Stück
STL6NM60N
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$0 $/Stück
BS170RLRPG
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$0 $/Stück
SFT1342-TL-W
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$0 $/Stück
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