Welcome to ichome.com!

logo
Heim

PHD20N06T,118

PHD20N06T,118

PHD20N06T,118

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 55V 18A DPAK

nicht konform

PHD20N06T,118 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10,000 $0.28800 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 77mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 422 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 51W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SQ3469EV-T1_BE3
RJ1L08CGNTLL
FDP036N10A
FDP036N10A
$0 $/Stück
RM1A4N150S6
RM1A4N150S6
$0 $/Stück
STU150N3LLH6
CSD23285F5T
CSD23285F5T
$0 $/Stück
IRF4905PBF
BSS138L
BSS138L
$0 $/Stück
STL35N15F3
STL35N15F3
$0 $/Stück
AO3400-5.8A
AO3400-5.8A
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.