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PHU101NQ03LT,127

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NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 30V 75A IPAK

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PHU101NQ03LT,127 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2180 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 166W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-Pak
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

PMN49EN,165
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$0 $/Stück
IRL620STRR
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NVMFS6B05NWFT3G
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$0 $/Stück
SIHS36N50D-E3
STP5N62K3
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$0 $/Stück
IRLW510ATM
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FDB8878
IXTA80N10T7
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