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PMGD8000LN,115

PMGD8000LN,115

PMGD8000LN,115

NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

nicht konform

PMGD8000LN,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 125mA
rds ein (max) @ id, vgs 8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 18.5pF @ 5V
Leistung - max. 200mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket 6-TSSOP
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Zugehörige Teilenummer

MP6K31TR
MP6K31TR
$0 $/Stück
FDS6982S
FDW9926A
MCS2010-TP
IRF7380QTRPBF
ZXMC4A16DN8TA
DMN5L06VK-13A
IPP60R280E6

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