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PMN20EN,115

PMN20EN,115

PMN20EN,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP

PMN20EN,115 Technisches Datenblatt

compliant

PMN20EN,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.10000 $0.1
500 $0.099 $49.5
1000 $0.098 $98
1500 $0.097 $145.5
2000 $0.096 $192
2500 $0.095 $237.5
20000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.7A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 6.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 630 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 545mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-74
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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Zugehörige Teilenummer

TP65H035WSQA
TP65H035WSQA
$0 $/Stück
MCH3406-TL-E
MCH3406-TL-E
$0 $/Stück
NTB23N03RG
NTB23N03RG
$0 $/Stück
IRF530SPBF
IRF530SPBF
$0 $/Stück
DMN3071LFR4-7R
STFI40N60M2
SIHG039N60E-GE3

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