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SIHG039N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC

nicht konform

SIHG039N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $12.71000 $12.71
10 $11.48200 $114.82
100 $9.52000 $952
500 $8.04850 $4024.25
1,000 $7.06752 -
410 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 63A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 39mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 126 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4369 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 357W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFR1N60ATRPBF-BE3
FQPF6N60
IXFH400N075T2
IXFH400N075T2
$0 $/Stück
FDS6575
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$0 $/Stück
UJ4SC075009B7S
UJ4SC075009B7S
$0 $/Stück
IXTX1R4N450HV
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$0 $/Stück
SQA446CEJW-T1_GE3
FDPF7N60NZ
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$0 $/Stück
RQ3E150GNTB
SIA468DJ-T1-GE3

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