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PMN25UN,115

PMN25UN,115

PMN25UN,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP

PMN25UN,115 Technisches Datenblatt

nicht konform

PMN25UN,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.08000 $0.08
500 $0.0792 $39.6
1000 $0.0784 $78.4
1500 $0.0776 $116.4
2000 $0.0768 $153.6
2500 $0.076 $190
4555 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 27mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 470 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-74
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS4C029NT1G
NTMFS4C029NT1G
$0 $/Stück
FDV304P
FDV304P
$0 $/Stück
DMP2021UFDE-7
FDMS8D8N15C
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$0 $/Stück
CSD22204W
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$0 $/Stück
SUP50020E-GE3

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