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PJQ4448P-AU_R2_000A1

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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ4448P-AU_R2_000A1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1040 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

FDD6682
IXTK120P20T
IXTK120P20T
$0 $/Stück
ZVN4210GTA
AUIRF3805STRL
NTE2973
NTE2973
$0 $/Stück
IXTH80N075L2
IXTH80N075L2
$0 $/Stück
APT10035JFLL

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