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N0412N-S19-AY

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MOSFET N-CH 40V 100A TO220

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N0412N-S19-AY Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,950 $0.74820 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5550 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta), 119W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTH80N075L2
IXTH80N075L2
$0 $/Stück
APT10035JFLL
IRF5803TRPBF
STW31N65M5
STW31N65M5
$0 $/Stück
IXTN102N65X2
IXTN102N65X2
$0 $/Stück

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