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PMN80XP,115

PMN80XP,115

PMN80XP,115

NXP USA Inc.

MOSFET P-CH 20V 2.5A 6TSOP

PMN80XP,115 Technisches Datenblatt

compliant

PMN80XP,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.08910 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 550 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 385mW (Ta), 4W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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Zugehörige Teilenummer

IRF9630PBF
IRF9630PBF
$0 $/Stück
SIHB6N80E-GE3
APT6010B2FLLG
FQU5N40TU
FQU5N40TU
$0 $/Stück
STP22N60M6
STP22N60M6
$0 $/Stück
NTD6N40-001
NTD6N40-001
$0 $/Stück
SFT1446-H
SFT1446-H
$0 $/Stück
SPW11N60C3

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