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SPW11N60C3

SPW11N60C3

SPW11N60C3

N-CHANNEL POWER MOSFET

SPW11N60C3 Technisches Datenblatt

compliant

SPW11N60C3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.66000 $1.66
500 $1.6434 $821.7
1000 $1.6268 $1626.8
1500 $1.6102 $2415.3
2000 $1.5936 $3187.2
2500 $1.577 $3942.5
7369 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

RK7002BT116
APT30M19JVR
IXTR200N10P
IXTR200N10P
$0 $/Stück
SQJ403BEEP-T1_GE3
NTB18N06G
NTB18N06G
$0 $/Stück
STW8N120K5
STW8N120K5
$0 $/Stück
STL38N65M5
STL38N65M5
$0 $/Stück

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