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IXTR200N10P

IXTR200N10P

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247

IXTR200N10P Technisches Datenblatt

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IXTR200N10P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $10.45267 $313.5801
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 235 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SQJ403BEEP-T1_GE3
NTB18N06G
NTB18N06G
$0 $/Stück
STW8N120K5
STW8N120K5
$0 $/Stück
STL38N65M5
STL38N65M5
$0 $/Stück
PMV28ENEAR
PMV28ENEAR
$0 $/Stück
ZXMN2A14FTA
NVTFWS014P04M8LTAG
NVTFWS014P04M8LTAG
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