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PMR780SN115

PMR780SN115

PMR780SN115

NXP USA Inc.

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

PMR780SN115 Technisches Datenblatt

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PMR780SN115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 550mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 920mOhm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.05 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 23 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 530mW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-75
Paket / Koffer SC-75, SOT-416
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Zugehörige Teilenummer

FDD5N53TM_WS
FDD5N53TM_WS
$0 $/Stück
STSJ25NF3LL
CMS01P10T-HF
STFILED627
STFILED627
$0 $/Stück
IRLZ14S
IRLZ14S
$0 $/Stück
IRFIBC40G
IRFIBC40G
$0 $/Stück
IRL630STRR
IRL630STRR
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