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RJK6026DPE-00#J3

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MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 440 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LDPAK
Paket / Koffer SC-83
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Zugehörige Teilenummer

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FQD4P40TF
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IRF634L
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