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IXTH130N15T

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IXYS

MOSFET N-CH 150V 130A TO247

IXTH130N15T Technisches Datenblatt

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IXTH130N15T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $4.81500 $144.45
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 65A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 113 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STP8NK85Z
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FQD4P40TF
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$0 $/Stück
IRF634L
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FQB19N10TM
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UF3SC065030D8S
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