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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 650 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 18A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 12V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 42mOhm @ 20A, 12V |
| vgs(th) (max) @ ID | 6V @ 10mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 43 nC @ 12 V |
| vgs (max) | ±25V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1500 pF @ 100 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 179W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 4-DFN (8x8) |
| Paket / Koffer | 4-PowerTSFN |
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