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PMT200EN,115

PMT200EN,115

PMT200EN,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223

nicht konform

PMT200EN,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.07000 $0.07
500 $0.0693 $34.65
1000 $0.0686 $68.6
1500 $0.0679 $101.85
2000 $0.0672 $134.4
2500 $0.0665 $166.25
25828 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 235mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 475 pF @ 80 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-73
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

FDME430NT
NTGS3446T1G
NTGS3446T1G
$0 $/Stück
AUIRFR4104
BUK9Y30-75B,115
FDP12N60NZ
FDP12N60NZ
$0 $/Stück
FDMS0306AS
FDMS0306AS
$0 $/Stück

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