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PMWD26UN,518

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PMWD26UN,518

NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

nicht konform

PMWD26UN,518 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.8A
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 700mV @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1366pF @ 16V
Leistung - max. 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
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