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2SJ670-TD-E

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onsemi

P-CHANNEL SILICON MOSFET

2SJ670-TD-E Technisches Datenblatt

nicht konform

2SJ670-TD-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.24000 $0.24
500 $0.2376 $118.8
1000 $0.2352 $235.2
1500 $0.2328 $349.2
2000 $0.2304 $460.8
2500 $0.228 $570
974000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

DMP510DL-13
IRFZ44ZLPBF
IXTP80N12T2
IXTP80N12T2
$0 $/Stück
NTD18N06LT4G
NTD18N06LT4G
$0 $/Stück
FDMS7650
FDMS7650
$0 $/Stück
IXFB30N120P
IXFB30N120P
$0 $/Stück
FDD306P
FDD306P
$0 $/Stück

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