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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 900 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 1.3Ohm @ 5A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | - |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 75 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±30V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1500 pF @ 30 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 190W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PB |
| Paket / Koffer | TO-3P-3, SC-65-3 |
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