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TSM1N80CW RPG

TSM1N80CW RPG

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MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223

nicht konform

TSM1N80CW RPG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.22344 -
5,000 $0.21574 -
777 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 300mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 21.6Ohm @ 150mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

DMN2450UFD-7
SQD100N02-3M5L_GE3
SIR122DP-T1-RE3
FDP51N25
FDP51N25
$0 $/Stück
ZVN0124A
ZVN0124A
$0 $/Stück
PH5030AL115
PH5030AL115
$0 $/Stück
EPC2054
EPC2054
$0 $/Stück
MCH6331-TL-W
MCH6331-TL-W
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