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FDP51N25

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onsemi

MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3

FDP51N25 Technisches Datenblatt

nicht konform

FDP51N25 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.23000 $3.23
10 $2.93200 $29.32
100 $2.37230 $237.23
500 $1.86368 $931.84
1,000 $1.55846 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 51A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3410 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 320W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

ZVN0124A
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PH5030AL115
PH5030AL115
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EPC2054
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MCH6331-TL-W
MCH6331-TL-W
$0 $/Stück
IRFUC20PBF
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STL11N65M2
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IXTA3N150HV
IXTA3N150HV
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