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ATP206-TL-H

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK

ATP206-TL-H Technisches Datenblatt

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ATP206-TL-H Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.46200 -
15000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1630 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket ATPAK
Paket / Koffer ATPAK (2 leads+tab)
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Zugehörige Teilenummer

SIHH11N65EF-T1-GE3
IRF9610SPBF
IRF9610SPBF
$0 $/Stück
FDU8870
IXFA10N80P
IXFA10N80P
$0 $/Stück
2SK1461
2SK1461
$0 $/Stück
SCTWA50N120
FQB16N15TM
DMN80H2D0SCTI
FDMC007N08LC
FDMC007N08LC
$0 $/Stück

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