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ECH8308-TL-H

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onsemi

MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH

nicht konform

ECH8308-TL-H Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.30624 -
6,000 $0.28512 -
15,000 $0.27456 -
30,000 $0.26880 -
366 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 12.5mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2300 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-ECH
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
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Zugehörige Teilenummer

IRL630PBF-BE3
EKI07076
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$0 $/Stück
SIHP17N80AE-GE3
PSMN5R9-30YL,115
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$0 $/Stück
ZVP3306FTA
PMV280ENEAR
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$0 $/Stück
IXTP44N10T
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$0 $/Stück
STB25N80K5
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$0 $/Stück
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