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EFC6601R-TR

EFC6601R-TR

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onsemi

MOSFET 2N-CH EFCP

EFC6601R-TR Technisches Datenblatt

compliant

EFC6601R-TR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.26775 -
10,000 $0.25840 -
25,000 $0.25330 -
684263 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-XFBGA, FCBGA
Lieferantengerätepaket EFCP2718-6CE-020
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