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FCB11N60TM

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MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

FCB11N60TM Technisches Datenblatt

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FCB11N60TM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.47611 $1180.888
1,600 $1.36064 -
2,400 $1.27181 -
5,600 $1.22740 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1490 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIHG24N65EF-GE3
FQI7N80TU
IXTA340N04T4-7
IXTA340N04T4-7
$0 $/Stück
IRFU310BTU
IRFB4110PBF
RM5N40S2
RM5N40S2
$0 $/Stück

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