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FCB20N60TM

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MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

FCB20N60TM Technisches Datenblatt

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FCB20N60TM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $2.30568 $1844.544
1,600 $2.15991 -
2,400 $2.05788 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3080 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTTFSC4823NTAG
NTTFSC4823NTAG
$0 $/Stück
TP0604N3-G
STW48N60M6-4
IRF7807ZTRPBF
HUF75852G3
HUF75852G3
$0 $/Stück
FQPF7N10
IXFH72N30X3
IXFH72N30X3
$0 $/Stück
FQPF22N30

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