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FCD1300N80Z

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

FCD1300N80Z Technisches Datenblatt

compliant

FCD1300N80Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.81468 -
5,000 $0.77619 -
12,500 $0.74870 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 400µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 880 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRLZ34PBF
IRLZ34PBF
$0 $/Stück
IXFH150N20T
IXFH150N20T
$0 $/Stück
DN2540N8-G
FDD8444L
IRF100B201
BSP320SL6327
SQM47N10-24L_GE3

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