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FCH190N65F-F155

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onsemi

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

compliant

FCH190N65F-F155 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
450 $2.86918 $1291.131
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3225 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FDD5N50NZFTM
FDD5N50NZFTM
$0 $/Stück
BUK7S1R0-40HJ
DMTH3002LK3-13
IPF05N03LAG
BSH205G2VL
BSH205G2VL
$0 $/Stück
NTMFS4955NT3G
NTMFS4955NT3G
$0 $/Stück

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