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FCPF20N60T

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onsemi

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

FCPF20N60T Technisches Datenblatt

compliant

FCPF20N60T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.32000 $2.32
500 $2.2968 $1148.4
1000 $2.2736 $2273.6
1500 $2.2504 $3375.6
2000 $2.2272 $4454.4
2500 $2.204 $5510
2000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3080 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

MCAC38N10Y-TP
DMT32M4LFG-13
RFP8N20
RFP8N20
$0 $/Stück
G2312
G2312
$0 $/Stück
DMN3009LFV-13
SIHU6N80AE-GE3
SIRA90DP-T1-GE3

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