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FCPF220N80

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 23A TO220F

FCPF220N80 Technisches Datenblatt

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FCPF220N80 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $2.19512 -
490 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 220mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 2.3mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4560 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 44W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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