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FCPF250N65S3R0L

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MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3

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FCPF250N65S3R0L Preise und Bestellung

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1,000 $0.99971 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1.2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1010 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

HUFA76413D3
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SPU09P06PL
NTMFS4983NFT3G
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IXTA02N450HV
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NVMFS5C450NT1G
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BUK9660-100A,118
IRF7207TRPBF

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