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VS-FC80NA20

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MOSFET N-CH 200V 108A SOT227

VS-FC80NA20 Technisches Datenblatt

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VS-FC80NA20 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
160 $27.52444 $4403.9104
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 108A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 161 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10720 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 405W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

BUK9660-100A,118
IRF7207TRPBF
IXFN150N15
IXFN150N15
$0 $/Stück
IRF730L
IRF730L
$0 $/Stück
SI1417EDH-T1-GE3
IRFP17N50L
IRFP17N50L
$0 $/Stück
BUK755R2-40B,127

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