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FDB045AN08A0-F085

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onsemi

MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB

compliant

FDB045AN08A0-F085 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $2.99095 $2392.76
1,600 $2.79156 -
2,400 $2.65198 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 138 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 310W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FQA13N80-F109
FQA13N80-F109
$0 $/Stück
BUK6510-75C,127
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$0 $/Stück
NDBA100N10BT4H
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$0 $/Stück
BFL4007-1E
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IXFY36N20X3
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SI7114ADN-T1-GE3

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