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FDB2572

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onsemi

MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB

FDB2572 Technisches Datenblatt

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FDB2572 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $0.93551 $748.408
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta), 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 54mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1770 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 135W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NVHL050N65S3HF
NVHL050N65S3HF
$0 $/Stück
SIHB22N60EF-GE3
FQI4N20TU
DMP2033UVT-7
RM3404
RM3404
$0 $/Stück

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