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FDB8445

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB

FDB8445 Technisches Datenblatt

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FDB8445 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.14169 $913.352
1,600 $1.04776 -
2,400 $0.97550 -
5,600 $0.93937 -
209 items
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3805 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 92W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NVTYS010N04CLTWG
NVTYS010N04CLTWG
$0 $/Stück
IRLHM620TRPBF
FDD6778A
SISA14BDN-T1-GE3
RF6E045AJTCR
FQPF20N06L
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$0 $/Stück
IRFB7440GPBF
FDMS037N08B
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$0 $/Stück

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