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FDB86135

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

FDB86135 Technisches Datenblatt

compliant

FDB86135 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $4.17600 $3340.8
1,600 $3.91200 -
2,400 $3.72720 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 116 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7295 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

AUIRFR5505
SIDR5802EP-T1-RE3
SI5458DU-T1-GE3
FDBL0630N150
FDBL0630N150
$0 $/Stück
SQ3481EV-T1_GE3
MMDF4N01HDR2
MMDF4N01HDR2
$0 $/Stück

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