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FDB86363-F085

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK

compliant

FDB86363-F085 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.84239 $1473.912
1,600 $1.71956 -
2,400 $1.63359 -
5,600 $1.57217 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10000 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRF351
IRF351
$0 $/Stück
AUIRF7749L2TR
FQA90N15-F109
FQA90N15-F109
$0 $/Stück
STB40NF10LT4
FQP8P10
FQP8P10
$0 $/Stück
NTMFS4927NT3G
NTMFS4927NT3G
$0 $/Stück
SIRA58DP-T1-GE3
FDP6030L
NTD4809N-1G
NTD4809N-1G
$0 $/Stück

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