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FDBL0110N60

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF

FDBL0110N60 Technisches Datenblatt

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FDBL0110N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $2.64657 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 300A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 220 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13650 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 429W (Tj)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HPSOF
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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Zugehörige Teilenummer

SFT1440-TL-E
SFT1440-TL-E
$0 $/Stück
MTB55N06ZT4
MTB55N06ZT4
$0 $/Stück
DI050N06D1
PSMNR70-30YLHX
STD20NF10T4
NVMFS5C677NLT1G
NVMFS5C677NLT1G
$0 $/Stück
NTMFS4C10NT3G
NTMFS4C10NT3G
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